渦流探傷技術(shù)在電阻檢測(cè)方向上的運(yùn)用

發(fā)布日期：2021-06-11      瀏覽次數(shù)：1470

渦流探傷技術(shù)在電阻檢測(cè)方向上的運(yùn)用

 渦流檢測(cè)是建立在電磁感應(yīng)原理基礎(chǔ)之上的一種無損檢測(cè)方法，它適用于導(dǎo)電材料。當(dāng)把一塊導(dǎo)體置于交變磁場(chǎng)之中，在導(dǎo)體中就有感應(yīng)電流存在，即產(chǎn)生渦流。由于導(dǎo)體自身各種因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、形狀，尺寸和缺陷等）的變化，會(huì)導(dǎo)致渦流的變化，利用這種現(xiàn)象判定導(dǎo)體性質(zhì)，狀態(tài)的檢測(cè)方法，叫渦流檢測(cè)。



日本napson渦流式電阻檢測(cè)儀EC-80P

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
• 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
• 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
• 連接到連接器的電阻測(cè)量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
• （電阻探頭：z多可以使用2 + PN判斷探頭）

• 測(cè)量規(guī)格

  測(cè)量目標(biāo)

  相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽能電池材料
  的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
  硅基外延離子注入的樣品
  化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
  其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)xi）

  測(cè)量尺寸

  無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

  測(cè)量范圍

  [電阻率] 1 m至200Ω·cm
  （*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
  [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
  （*所有探頭類型的總范圍）

  *有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
  （1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
  0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
  （3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
  （4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
  （5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）